|
MOORE KANUNU TEHLİKEDE Mİ? Intel yeni yeni 90 nanometre teknolojisine geçti. Geliştirilen 65 nanometre teknolojisi ise 2005ten itibaren fiilen kullanılmaya başlayacak. Şirket, 2011 yılında işlemci kapılarında 10 nanometreyi inmeyi planlıyor. Ancak, Intelin kurucusunun adıyla anılan Moore Kanununun doğrulanması için, 2013 yılında ölçeğin yeniden küçülmesi gerekiyor ki, bu mevcut teknolojilerle mümkün görünmüyor. Moore Kanunu, her iki yılda bir devreye sığdırılan transistör sayısının iki katına çıkacağını öngörüyor. NANOTÜPÜ SERİ ÜRETİMİ Moore Kanununun yanılmaması için Intelin yeni bir teknik bularak daha küçük ebatlara geçmesi gerekiyor. Karbon nanotüpler ve nano kablolar bu noktada devreye girecek. Karbon nanotüpler, karbon atomlarından oluşan bir silindir. Transistöre giren ve çıkan güç bu silindirin içinden geçiyor. Elektrik akımı kanaldan geçerek veya geçmeyerek, transistörlere devreyi açık veya kapalı olduğu bilgisini veriyor. Açık veya kapalı ise veriye dönüşüyor. Nanotüpler, elektronlara mevcut maddelere göre kanallardan çok daha hızlı geçiş olanağı sağlayan yapılar. Intelin tasarladığı karbon nanotüp, aynı ebat ve güç tüketiminde teorik olarak geneleksel transistörlerden üç kat daha hızlı çalışıyor. Nanotüp Intelin bulduğu bir teknoloji değil, ancak bütün mesele bunların seri üretim şartlarına entegre edilmesi. Aynı sorun, silikon nano kablolar içinde geçerli. ELEKTRONU BIRAK, KAÇAĞI TUT Silikon kapılar mevcut transistörlerde kanal ile silikon katman arasına yerleştiriliyor. Intel, dört yıl içinde, kapının transistörü üç yandan çevrelediği üçlü-kapı sistemini üretim teknolojilerine entegre etmek istiyor. Üçlü-kapı sistemi, öncelikle mevcut kaçakları daha etkin biçimde kesecek. Ancak, mesele üçlü beşli değil, transistörün sonuç olarak silindir yapıya kavuşması ve kapının bunu çevrelemesi. Geleceğin transistörü, elektron hareketliliği ile kaçak kontrolü arasında optimum dengeyi bulmak zorunda. Elektron hareket kazanırken, kaçaklar da elektronun hızını kesmeden asgariye indirilmeli. SİLİNDİR KAPILAR 2020LERDE Silikon nano kablolar işte böyle bir transistörün yapımında kullanılacak. Intelin önünde elektron hareketliliğini bozmadan kaçağı kontrol etmek için uzun bir ArGe yolu var. Bu nedenle nanotüplerin ve nano kabloların deneysel olarak dahi üretime geçmesi için en erken 2013 ila 2019 arasını beklemek gerekecek. Gerçekçi olarak 2020lere şaşmamak gerek. ELEKTRONUN MANYETİK ALANI Intel yeni teknolojiler için üniversitelerle işbirliği halinde. Geliştirilen tekniklerden birinde, kapıların yerini manyetik alanlar alacak. Spintronics denen bu yöntemde elektronların hareketleri inceleniyor. Elektrik yüklü elektronlar kendi etraflarında dönüyor. Elektrik yüklü elektronların etrafında manyetik alanlar oluşuyor. Bu alanın konumu, elektronun kendi etrafında dönüş yönüne doğru değişiyor. Bu alanın eğildiği yöne doğru ise transistöre, açık veya kapalı durum bilgisi tanımlanabiliyor. Bu tekniğin başlıca avantajı elektronu döndürmek için gerekli güç, kapıyı açıp kapamaya harcanan enerjiden çok daha düşük. | ||||
Türk Telekomdan ücretsiz masal ve müzik servisi | |||
|
|||||||||||||||||
|
|||||||||||||||||
Ana Sayfa | Güncel | Dünya | Ekonomi | Sağlık | Yaşam | Teknoloji | Kültür & Sanat | Spor | Hava Durumu | Haber Özetleri | Arama | NTVMSNBC Hakkında | Yardım | Spor Yardım | Tüm Haberler | Araçlar | NTVMSNBC Reklam Seçenekleri | Hukuki Şartlar & Gizlilik Hakları |
|||||||||||||||||